廣州菱控自動(dòng)化科技有限公司
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三菱QS001CPU手冊QS001CPU特別說(shuō)明結構化編程手冊

產(chǎn)品型號: QS001CPU
產(chǎn)品名稱(chēng): CPU
品牌: 三菱
類(lèi)別: 特別說(shuō)明結構化編程手冊
文件語(yǔ)言: 英文
文件大小: 5.69MB
輸出點(diǎn)數:16點(diǎn)。
輸出電壓及電流:DC12~24V;0.5A/點(diǎn);4A/公共端。
OFF時(shí)漏電流:0.1mA。
應答時(shí)間:1ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型QS001CPU結構化編程手冊。
18點(diǎn)彈簧夾接線(xiàn)端子。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
超高速處理,生產(chǎn)時(shí)間縮短,更好的性能。
隨著(zhù)應用程序變得更大更復雜,縮短系統運行周期時(shí)間是非常必要的QS001CPU
通過(guò)超高的基本運算處理速度1.9ns,可縮短運行周期。
除了可以實(shí)現以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外,
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間,提高系統性能,
防止任何可能出現的性能偏差。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取,
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界QS001CPU結構化編程手冊。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡,
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器,
容量最多可達4736K字,從而簡(jiǎn)化了編程。
因此,即使軟元件存儲器空間不足,
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡,方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位,從而使編程也可超越了傳統的32K字,
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外,變址修飾的處理速度對結構化數據(陣列)的高效運算起著(zhù)重要作用,
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序(例如從FOR到NEXT的指令等)中時(shí),可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能,方便分析發(fā)生故障時(shí)的數據,模塊之間的數據收發(fā)時(shí)間QS001CPU結構化編程手冊。
可用編程工具對收集的數據進(jìn)行分析,
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存,
通過(guò)記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。連接讀寫(xiě)2ch。
ID系統接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上,
通過(guò)可編程控制器指令讀寫(xiě)ID標簽數據的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個(gè)天線(xiàn),還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標簽。
巴魯夫ID系統/BIS系列是可利用電磁結合方式讀寫(xiě)數據的工業(yè)自動(dòng)化ID系統。
ID標簽具有多種尺寸和存儲容量。三相3線(xiàn)式。
測量電路數:1個(gè)電路。
測量項目:耗電量(消耗、再生)、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡(jiǎn)單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊,即可測量與電量(消耗及再生)、無(wú)功電量、電流、電壓、功率、功率因數以及頻率有關(guān)的各種詳細信息。
無(wú)需梯形圖程序即可持續監視最小值和最大值,亦可執行2種類(lèi)型的上限/下限報警。
只有在ON狀態(tài)期間,才可測量輸出設備所使用的電量。
因此可獲得設備運行期間的電量以及節拍單位內的電電量QS001CPU手冊。
在一個(gè)插槽中使用3相3線(xiàn)式產(chǎn)品最多可測量4個(gè)電路,
使用3相4線(xiàn)式產(chǎn)品最最多可測量3個(gè)電路,
因此通過(guò)多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測量QS001CPU手冊。
例如,可使用一個(gè)模塊測量來(lái)自控制面板干線(xiàn)的其他負載。
此外,可使用GX Works2 ( 1.90U版和更高版本),輕松地設置參數。
相關(guān)產(chǎn)品
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程序容量:14K步。 輸入輸出點(diǎn)數:1024點(diǎn)。 輸入輸出元件數:2048點(diǎn)。 在一個(gè)
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