QD51-R24手冊三菱模塊 QD51-R24調試和編譯編程手冊

輸入輸出點(diǎn)數：1024點(diǎn)。
輸入輸出數據設備點(diǎn)數：8192點(diǎn)。
程序容量：60k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執行階段：按用戶(hù)程序指令存放的先后順序掃描執行每條指令，
經(jīng)相應的運算和處理后，其結果再寫(xiě)入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存器中所有的內容隨著(zhù)程序的執行而改變三菱模塊 編程手冊QD51-R24
輸出刷新階段：當所有指令執行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過(guò)一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅動(dòng)相應輸出設備工作。輸入輸出點(diǎn)數：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數：8192點(diǎn)三菱模塊 編程手冊。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A(yíng)模式。
提升基本性能。
CPU的內置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數據也可高速處理。
方便處理大容量數據三菱模塊 編程手冊。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域QD51-R24編程手冊。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間QD51-R24編程手冊。用于16點(diǎn)I/O。0.3至1.5mm2(AWG22至16)。SRAM存儲卡。
RAM容量：512KB。電纜長(cháng)3.0米。
用于連接擴展基板。輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100；Ni100)QD51-R24編程手冊。
轉換速度：40ms/1通道。
18點(diǎn)端臺。
通道之間隔離。
鉑熱電阻（Pt100、JPt100）。
鎳熱電阻（Ni100）。
脫落檢測功能。
轉換速度：320ms/8通道。
通道間隔離。
40針連接器。
最適合用于過(guò)程控制的隔離模擬量模塊。
可通過(guò)連接熱電偶/熱電阻來(lái)收集溫度數據。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型。
客戶(hù)可根據預期用途選擇最適合的型號。
縮短系統停機復原時(shí)間。
只需簡(jiǎn)單的操作，即可將CPU內的所有數據備份到存儲卡中。
通過(guò)定期備份，可始終將最新的參數、程序等保存到存儲卡。
在萬(wàn)一發(fā)生CPU故障時(shí)，在更換CPU后，可通過(guò)簡(jiǎn)單的操作，
通過(guò)事前備份了數據的存儲卡進(jìn)行系統復原。
因此，無(wú)需花費時(shí)間管理備份數據，也可縮短系統停機時(shí)的復原時(shí)間。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數據

將程序和參數文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數丟失三菱模塊 編程手冊QD51-R24手冊。
此外，還可將軟元件數據等重要數據備份到標準ROM，
以避免在長(cháng)假期間等計劃性停機時(shí)，
這些數據因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數據將自動(dòng)恢復。