可編程控制器Q00UCPUPID控制指令編程手冊三菱Q00UCPU手冊

安裝DIN導軌用的適配器。
用于Q32SB、Q33SB、Q35SB、Q33B、Q52B、Q55B、Q63B。輸入輸出點(diǎn)數：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數：8192點(diǎn)。
程序容量：28 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A(yíng)模式Q00UCPU
提升基本性能。
CPU的內置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數據也可高速處理。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。分辨率262144PLS/res。
允許轉速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向最大為19.6N，軸向最大為9.8N。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。測量項目：漏電流（Io）、阻性漏電流（Ior）。
測量電路數：2個(gè)電路。
測量泄漏電流的絕緣監視模塊。
可對漏電流進(jìn)行測量，以確保安全通過(guò)監視漏電流（Io），可檢測出觸電危險。
可連續不間斷地監視設備的絕緣狀態(tài) 測量阻性漏電流（Ior），
以便不間斷地監視設備的絕緣老化狀況。
可對每個(gè)測量項目進(jìn)行2階段的報警監視可分別對漏電流（ Io）、阻性漏電流（Ioor）進(jìn)行2階段的報警監視，
無(wú)需梯形圖程序。報警監視分為注意報警和危險報警2階段。
一個(gè)模塊可測量量?jì)蓚€(gè)電路 一個(gè)模塊可對同一系統中相同相線(xiàn)式電源的兩個(gè)電路進(jìn)行測量。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），輕松地設置參數。
［測量項目］漏電流（ Io）、阻性漏電流（ Ior）。