Q1MEM-512S認證三菱Q1MEM-512SEMC

輸入輸出點(diǎn)數：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數：8192點(diǎn)。
程序容量：40K步。
基本運處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內存容量：160KB。
外圍設備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴展SRAM卡。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界Q1MEM-512S
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準確獲取高速信號，為裝置的更加高精度化作出貢獻。
通過(guò)多CPU進(jìn)行高速、高精度機器控制。
通過(guò)順控程序的直線(xiàn)和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現高速控制。
多CPU間高速通信周期與運動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現運算效率最大化。
此外，最新的運動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、高精度的機器控制。安裝DIN導軌用的適配器。
用于Q35B-E、Q65B、Q00JCPU。連接讀寫(xiě)2ch。
ID系統接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過(guò)可編程控制器指令讀寫(xiě)ID標簽數據的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個(gè)天線(xiàn)，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標簽。
巴魯夫ID系統/BIS系列是可利用電磁結合方式讀寫(xiě)數據的工業(yè)自動(dòng)化ID系統。
ID標簽具有多種尺寸和存儲容量。三相3線(xiàn)式。
測量電路數：1個(gè)電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡(jiǎn)單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無(wú)功電量、電流、電壓、功率、功率因數以及頻率有關(guān)的各種詳細信息。
無(wú)需梯形圖程序即可持續監視最小值和最大值，亦可執行2種類(lèi)型的上限/下限報警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設備所使用的電量。
因此可獲得設備運行期間的電電量以及節拍單位內的電量。
在一個(gè)插槽中使用3相3線(xiàn)式產(chǎn)品最多可測量4個(gè)電路，
使用3相4線(xiàn)式產(chǎn)品最最多可測量3個(gè)電路，
因此通過(guò)多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測量。
例如，可使用一個(gè)模塊測量來(lái)自控制面板干線(xiàn)的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設置參數。