三菱QD75D4N選型資料選型手冊

繼電器輸出：32點(diǎn)。
額定電流電壓：DC24V/AC240V，2A/1點(diǎn)，5A/1公共端，8點(diǎn)1公共端。
外部接線(xiàn)連接方式：38點(diǎn)端子臺（端子臺另售）。
替換型號：AY13。輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100)。
無(wú)加熱器斷線(xiàn)檢測功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點(diǎn)端子臺。
可靈活進(jìn)行各種設置，實(shí)現最佳溫度控制的溫度調節模塊QD75D4N
針對擠壓成型機等溫度控制穩定性要求高的設備，
溫度調節模塊具有防過(guò)熱和防過(guò)冷的功能。
可根據控制對象設備，選擇標準控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結合了標準控制和加熱-冷卻控制）。
尖峰電流抑制功能。
可防止同時(shí)打開(kāi)輸出以控制尖峰電流，有助于節能及降低運行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達到設置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節能及降低運行成本。
自動(dòng)調整功能。
可在控制過(guò)程中自動(dòng)調節PID常數。
可降低自動(dòng)調整成本（時(shí)間、材料和電能）。輸入輸出點(diǎn)數：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數：8192點(diǎn)。
程序容量：28 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A(yíng)模式。
提升基本性能。
CPU的內置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數據也可高速處理。
方便處理大容量數據。
以往無(wú)法實(shí)現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時(shí)需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個(gè)連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實(shí)現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著(zhù)重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。輸入：2通道。
10kpps。
計數器輸入信號：DC5/12/24V。
外部輸入：DC5/12/24V。
統一輸出：晶體管(漏型)。
用于替換A系列大型模塊"AD61-S1"。
40針連接器。
支持高分辨率設備。滿(mǎn)足高速高精度控制應用的脈沖輸入、高速計數器模塊產(chǎn)品群。
對高速脈沖串進(jìn)行計數的高速計數器模塊。
可與外部編碼器組合使用進(jìn)行定位等控制。
可切換最高計數速度，對從高速脈沖到上升沿/下降沿平緩的低頻脈沖進(jìn)行計數。
每個(gè)1通道配備2點(diǎn)的外部一致輸出。
可根據用途選擇“一致輸出功能”、“連續比較功能”，實(shí)現外部設備的高速控制。（QD64D2）
提提供多種功能，例如一致輸出測試功能（使用連續比較功能時(shí)）、預設功能、鎖存計數器功能，
以滿(mǎn)足各種應用用需求。（ QD64D2）
輸入脈沖的最高計數速度可達8Mpps （差分輸入、2相4倍頻時(shí)）。
可在半導體、液晶制造等對位置精度要求高的設備中，
使用高分辨率編碼器執行精確的位置跟蹤。（ QD65PD2）